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等离子增强 CVD(PECVD)

OTF-1200X-II-PE-RR 卷对卷等离子 CVD 炉

型号OTF-1200X-II-PE-RR

连续基材 PECVD 平台在密封腔体之间输送箔带或线材,可调等离子功率、传送速度与张力,用于薄膜生长研究。

工作温度 连续 1100 °C;1200 °C 使用少于 60 分钟
石英管 外径 80 × 内径 72 × 长 1400 mm
射频等离子源 5–300 W; 13.56 MHz
  • 报价前确认最终配置
  • 根据应用确认定制和附件
  • 可按需提供出口包装与文件
技术数据

技术规格

规格按系统分组,便于不同设备展示与其应用相关的重要参数。

主要参数

工作温度 连续 1100 °C;1200 °C 使用少于 60 分钟
石英管 外径 80 × 内径 72 × 长 1400 mm
射频等离子源 5–300 W; 13.56 MHz
走带速度与宽度 1–400 mm/min;80 mm 炉管可用基材宽度最大 65 mm
张力控制 0–1000 g

规格可能随配置和定制要求变化,最终数据以确认后的报价为准。

产品详情

订购前请与 LabSova 确认前驱体或样品兼容性、炉管及法兰配置、气体、抽气、冷却、排风和供电要求。图片可能包含选配附件,供货以双方确认配置为准。温度额定值不代表该温度下允许任意真空或压力条件。