薄膜沉积设备
VTC-3RF 加热旋转样品台三靶射频磁控镀膜仪
型号VTC-3RF
三组 1 英寸源可在真空下依次镀膜,加热旋转样品台适合薄膜工艺开发。
溅射头
3 × 1 in
标准射频电源
100 W;13.5 MHz;手动匹配
靶基距
50–80 mm
- 报价前确认最终配置
- 根据应用确认定制和附件
- 可按需提供出口包装与文件
设备特点
主要产品特点
-
溅射头: 3 × 1 in
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标准射频电源: 100 W;13.5 MHz;手动匹配
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靶基距: 50–80 mm
技术数据
技术规格
规格按系统分组,便于不同设备展示与其应用相关的重要参数。
主要参数
| 溅射头 | 3 × 1 in |
|---|---|
| 标准射频电源 | 100 W;13.5 MHz;手动匹配 |
| 靶基距 | 50–80 mm |
| 样品台直径 | 50 mm |
| 样品台转速 | 1–10 rpm |
| 样品台加热限值 | 600 °C 最长 5 分钟;500 °C 最长 2 小时 |
规格可能随配置和定制要求变化,最终数据以确认后的报价为准。
请与 LabSova 确认靶材、基片尺寸、供电、真空泵、冷却及气体要求。选配部件及实验室配套条件需另行确认。
采购细节可在下单前确认。
确认需求
面向国际买家,报价确认可包含配置、附件、包装方式、出口文件、验货照片或视频以及运输条款。
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