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薄膜沉积设备

VTC-3RF 加热旋转样品台三靶射频磁控镀膜仪

型号VTC-3RF

三组 1 英寸源可在真空下依次镀膜,加热旋转样品台适合薄膜工艺开发。

溅射头 3 × 1 in
标准射频电源 100 W;13.5 MHz;手动匹配
靶基距 50–80 mm
  • 报价前确认最终配置
  • 根据应用确认定制和附件
  • 可按需提供出口包装与文件
设备特点

主要产品特点

  • 溅射头: 3 × 1 in

  • 标准射频电源: 100 W;13.5 MHz;手动匹配

  • 靶基距: 50–80 mm

技术数据

技术规格

规格按系统分组,便于不同设备展示与其应用相关的重要参数。

主要参数

溅射头 3 × 1 in
标准射频电源 100 W;13.5 MHz;手动匹配
靶基距 50–80 mm
样品台直径 50 mm
样品台转速 1–10 rpm
样品台加热限值 600 °C 最长 5 分钟;500 °C 最长 2 小时

规格可能随配置和定制要求变化,最终数据以确认后的报价为准。

请与 LabSova 确认靶材、基片尺寸、供电、真空泵、冷却及气体要求。选配部件及实验室配套条件需另行确认。