薄膜沉积设备
OTF-1200X-RTP-II 双温区近空间升华与快速热处理炉
型号OTF-1200X-RTP-II
上下红外加热器独立控制，用于 3 英寸基片的近空间升华和热处理。
基片直径
3 in
加热器最高温度
650 °C
加热器间距
10–50 mm
- 报价前确认最终配置
- 根据应用确认定制和附件
- 可按需提供出口包装与文件
设备特点
主要产品特点
-
基片直径: 3 in
-
加热器最高温度: 650 °C
-
加热器间距: 10–50 mm
技术数据
技术规格
规格按系统分组，便于不同设备展示与其应用相关的重要参数。
主要参数
| 基片直径 | 3 in |
|---|---|
| 加热器最高温度 | 650 °C |
| 加热器间距 | 10–50 mm |
| 温度程序 | 2 个控制器；每个 30 段 |
| 总加热功率 | 2200 W |
| 外形尺寸 | 850 × 745 × 1615 mm |
规格可能随配置和定制要求变化，最终数据以确认后的报价为准。
请与 LabSova 确认蒸发材料、蒸发源兼容性、基片尺寸、真空度及电气配置。设备与附件以最终确认的配置为准。
采购细节可在下单前确认。
确认需求
面向国际买家，报价确认可包含配置、附件、包装方式、出口文件、验货照片或视频以及运输条款。
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