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等离子增强 CVD(PECVD)

OTF-1200X-S-II-PEC4 紧凑旋转复合等离子 CVD 系统

型号OTF-1200X-S-II-PEC4

短温区旋转炉集成固态源蒸发、射频等离子及四路混气,用于最高连续 1000 °C 条件下的粉末包覆研究。

工作温度 连续 1000 °C;1100 °C 使用少于 1 小时
加热区 2 × 100 mm
射频等离子源 5–300 W; 13.56 MHz
  • 报价前确认最终配置
  • 根据应用确认定制和附件
  • 可按需提供出口包装与文件
技术数据

技术规格

规格按系统分组,便于不同设备展示与其应用相关的重要参数。

主要参数

工作温度 连续 1000 °C;1100 °C 使用少于 1 小时
加热区 2 × 100 mm
射频等离子源 5–300 W; 13.56 MHz
源材料坩埚 0.7 mL 氧化铝坩埚,钨加热器
气体控制 4 路 MFC:0–100、0–200、0–200、0–500 sccm

规格可能随配置和定制要求变化,最终数据以确认后的报价为准。

产品详情

订购前请与 LabSova 确认前驱体或样品兼容性、炉管及法兰配置、气体、抽气、冷却、排风和供电要求。图片可能包含选配附件,供货以双方确认配置为准。温度额定值不代表该温度下允许任意真空或压力条件。