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化学气相沉积(CVD)

OTF-1200X-III-HPCVD-S3 三温区复合气相沉积炉

型号OTF-1200X-III-HPCVD-S3

大口径复合 PVD/CVD 平台,配置三个独立温区及独立源材料供给通道,适合顺序沉积和共蒸发研究。

工作温度 连续 100–1100 °C;1200 °C 使用少于 1 小时
加热区 3 × 300 mm
主石英管 外径 130 × 内径 122 × 长 1200 mm
  • 报价前确认最终配置
  • 根据应用确认定制和附件
  • 可按需提供出口包装与文件
技术数据

技术规格

规格按系统分组,便于不同设备展示与其应用相关的重要参数。

主要参数

工作温度 连续 100–1100 °C;1200 °C 使用少于 1 小时
加热区 3 × 300 mm
主石英管 外径 130 × 内径 122 × 长 1200 mm
气体控制 4 路,PLC 触摸屏控制
供电 208–240 V AC,单相;10 kW

规格可能随配置和定制要求变化,最终数据以确认后的报价为准。

产品详情

源材料供给通道数量和运动方式需按所选配置确认。

订购前请与 LabSova 确认前驱体或样品兼容性、炉管及法兰配置、气体、抽气、冷却、排风和供电要求。图片可能包含选配附件,供货以双方确认配置为准。温度额定值不代表该温度下允许任意真空或压力条件。