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CVD assistida por plasma (PECVD)

PECVD-8-16 Batch Wafer PECVD Pilot System

ModeloPECVD-8-16

A capacitively coupled plasma deposition system uses a multi-slot graphite boat to process up to twelve 6-inch wafers in one heated quartz-tube batch.

Wafer capacity 12 x 6 in wafers
Working temperature 400–1100 °C
Heating zones 3 x 300 mm; uniform zone 600 mm (±2 °C)
  • Configuração final confirmada antes da cotação
  • Personalização e acessórios revisados pela aplicação
  • Embalagem de exportação e documentação disponíveis sob solicitação
Dados técnicos

Especificações técnicas

As especificações são organizadas por sistema para que diferentes tipos de equipamento apresentem os parâmetros relevantes para sua aplicação.

Key specifications

Wafer capacity 12 x 6 in wafers
Working temperature 400–1100 °C
Heating zones 3 x 300 mm; uniform zone 600 mm (±2 °C)
RF plasma source 20–1000 W; 13.56 MHz
Gas control 4 MFC channels; ±1.5% FS

As especificações podem mudar conforme configuração e personalização. Os dados finais dependem da cotação confirmada.

Descrição do produto

A compatible vacuum pump is required and is specified separately.

Confirm precursor or sample compatibility, tube and flange configuration, gases, pumping, cooling, exhaust and electrical supply with LabSova before ordering. Images may show optional accessories; the agreed configuration defines supply. Temperature ratings do not imply that every vacuum or pressure condition is permitted at that temperature.