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CVD assisté par plasma (PECVD)

PECVD-8-16 Batch Wafer PECVD Pilot System

ModèlePECVD-8-16

A capacitively coupled plasma deposition system uses a multi-slot graphite boat to process up to twelve 6-inch wafers in one heated quartz-tube batch.

Wafer capacity 12 x 6 in wafers
Working temperature 400–1100 °C
Heating zones 3 x 300 mm; uniform zone 600 mm (±2 °C)
  • Configuration finale confirmée avant devis
  • Personnalisation et accessoires étudiés selon l’application
  • Emballage export et documentation disponibles sur demande
Données techniques

Spécifications techniques

Les spécifications sont organisées par système afin de présenter les paramètres pertinents pour chaque équipement.

Key specifications

Wafer capacity 12 x 6 in wafers
Working temperature 400–1100 °C
Heating zones 3 x 300 mm; uniform zone 600 mm (±2 °C)
RF plasma source 20–1000 W; 13.56 MHz
Gas control 4 MFC channels; ±1.5% FS

Les spécifications peuvent varier selon la configuration. Les données finales dépendent du devis confirmé.

Description du produit

A compatible vacuum pump is required and is specified separately.

Confirm precursor or sample compatibility, tube and flange configuration, gases, pumping, cooling, exhaust and electrical supply with LabSova before ordering. Images may show optional accessories; the agreed configuration defines supply. Temperature ratings do not imply that every vacuum or pressure condition is permitted at that temperature.