B2B-Beschaffung von Laborgeräten Lieferantenkoordination · Technische Klärung · Exportunterstützung
Plasmaunterstützte CVD (PECVD)

PECVD-8-16 Batch Wafer PECVD Pilot System

ModellPECVD-8-16

A capacitively coupled plasma deposition system uses a multi-slot graphite boat to process up to twelve 6-inch wafers in one heated quartz-tube batch.

Wafer capacity 12 x 6 in wafers
Working temperature 400–1100 °C
Heating zones 3 x 300 mm; uniform zone 600 mm (±2 °C)
  • Endkonfiguration vor Angebot bestätigt
  • Anpassung und Zubehör nach Anwendung geprüft
  • Exportverpackung und Dokumentation auf Anfrage verfügbar
Technische Daten

Technische Spezifikationen

Spezifikationen sind nach System organisiert, damit unterschiedliche Gerätetypen die für ihre Anwendung relevanten Parameter darstellen können.

Key specifications

Wafer capacity 12 x 6 in wafers
Working temperature 400–1100 °C
Heating zones 3 x 300 mm; uniform zone 600 mm (±2 °C)
RF plasma source 20–1000 W; 13.56 MHz
Gas control 4 MFC channels; ±1.5% FS

Spezifikationen können sich je nach Konfiguration und Anpassung ändern. Endgültige Daten unterliegen dem bestätigten Angebot.

Produktbeschreibung

A compatible vacuum pump is required and is specified separately.

Confirm precursor or sample compatibility, tube and flange configuration, gases, pumping, cooling, exhaust and electrical supply with LabSova before ordering. Images may show optional accessories; the agreed configuration defines supply. Temperature ratings do not imply that every vacuum or pressure condition is permitted at that temperature.