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CVD asistida por plasma (PECVD)

PECVD-8-16 Batch Wafer PECVD Pilot System

ModeloPECVD-8-16

A capacitively coupled plasma deposition system uses a multi-slot graphite boat to process up to twelve 6-inch wafers in one heated quartz-tube batch.

Wafer capacity 12 x 6 in wafers
Working temperature 400–1100 °C
Heating zones 3 x 300 mm; uniform zone 600 mm (±2 °C)
  • Configuración final confirmada antes de cotizar
  • Personalización y accesorios revisados según la aplicación
  • Embalaje de exportación y documentación disponibles bajo solicitud
Datos técnicos

Especificaciones técnicas

Las especificaciones se organizan por sistema para que diferentes tipos de equipos presenten los parámetros relevantes para su aplicación.

Key specifications

Wafer capacity 12 x 6 in wafers
Working temperature 400–1100 °C
Heating zones 3 x 300 mm; uniform zone 600 mm (±2 °C)
RF plasma source 20–1000 W; 13.56 MHz
Gas control 4 MFC channels; ±1.5% FS

Las especificaciones pueden cambiar según configuración y personalización. Los datos finales están sujetos a la cotización confirmada.

Descripción del producto

A compatible vacuum pump is required and is specified separately.

Confirm precursor or sample compatibility, tube and flange configuration, gases, pumping, cooling, exhaust and electrical supply with LabSova before ordering. Images may show optional accessories; the agreed configuration defines supply. Temperature ratings do not imply that every vacuum or pressure condition is permitted at that temperature.