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薄膜沉积设备

VTC-150-H 立式炉 PVD/CVD 复合镀膜平台

型号VTC-150-H

立式管式炉平台集成磁控溅射和旋转样品架,用于复合薄膜沉积研究。

炉体温度额定值 1100 °C
炉管直径 5 in
溅射头 1 英寸;水冷
  • 报价前确认最终配置
  • 根据应用确认定制和附件
  • 可按需提供出口包装与文件
设备特点

主要产品特点

  • 炉体温度额定值: 1100 °C

  • 炉管直径: 5 in

  • 溅射头: 1 英寸;水冷

技术数据

技术规格

规格按系统分组,便于不同设备展示与其应用相关的重要参数。

主要参数

炉体温度额定值 1100 °C
炉管直径 5 in
溅射头 1 英寸;水冷
靶基距 60–100 mm
样品架 直径 3 英寸;1–10 rpm
电源 208–240 V AC, 50/60 Hz; 3000 W

规格可能随配置和定制要求变化,最终数据以确认后的报价为准。

请与 LabSova 确认靶材、基片尺寸、供电、真空泵、冷却及气体要求。选配部件及实验室配套条件需另行确认。