薄膜沉积设备
HVHP-100 100 mm PID 控温真空兼容加热板
型号HVHP-100
铁铬铝加热基片台,配 K 型传感器与程序温度控制,适合镀膜系统集成。
加热区域直径
100 mm
温度限值
最高 800 °C;使用时间 <8 小时
额定功率
850 W
- 报价前确认最终配置
- 根据应用确认定制和附件
- 可按需提供出口包装与文件
设备特点
主要产品特点
-
加热区域直径: 100 mm
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温度限值: 最高 800 °C;使用时间 <8 小时
-
额定功率: 850 W
技术数据
技术规格
规格按系统分组,便于不同设备展示与其应用相关的重要参数。
主要参数
| 加热区域直径 | 100 mm |
|---|---|
| 温度限值 | 最高 800 °C;使用时间 <8 小时 |
| 额定功率 | 850 W |
| 交流输入 | 110–120 V, 50/60 Hz |
| 建议升温速率 | 5 °C/min |
| 温度程序 | 30 段;±1 °C |
规格可能随配置和定制要求变化,最终数据以确认后的报价为准。
请与 LabSova 确认蒸发材料、蒸发源兼容性、基片尺寸、真空度及电气配置。设备与附件以最终确认的配置为准。
采购细节可在下单前确认。
确认需求
面向国际买家,报价确认可包含配置、附件、包装方式、出口文件、验货照片或视频以及运输条款。
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