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薄膜沉积设备

HVHP-100 100 mm PID 控温真空兼容加热板

型号HVHP-100

铁铬铝加热基片台,配 K 型传感器与程序温度控制,适合镀膜系统集成。

加热区域直径 100 mm
温度限值 最高 800 °C;使用时间 <8 小时
额定功率 850 W
  • 报价前确认最终配置
  • 根据应用确认定制和附件
  • 可按需提供出口包装与文件
设备特点

主要产品特点

  • 加热区域直径: 100 mm

  • 温度限值: 最高 800 °C;使用时间 <8 小时

  • 额定功率: 850 W

技术数据

技术规格

规格按系统分组,便于不同设备展示与其应用相关的重要参数。

主要参数

加热区域直径 100 mm
温度限值 最高 800 °C;使用时间 <8 小时
额定功率 850 W
交流输入 110–120 V, 50/60 Hz
建议升温速率 5 °C/min
温度程序 30 段;±1 °C

规格可能随配置和定制要求变化,最终数据以确认后的报价为准。

请与 LabSova 确认蒸发材料、蒸发源兼容性、基片尺寸、真空度及电气配置。设备与附件以最终确认的配置为准。