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Dépôt chimique en phase vapeur (CVD)

MIST-1600-6 Induction-Heated Mist LPCVD Reactor

ModèleMIST-1600-6

A quartz-chamber deposition reactor with an induction-heated graphite stage for high-temperature thin-film growth on wafers up to 6 inches.

Operating temperature 1500 °C working; 1600 °C for <1 h
Wafer capacity Up to 6 in
Quartz chamber 216 mm OD x 500 mm H
  • Configuration finale confirmée avant devis
  • Personnalisation et accessoires étudiés selon l’application
  • Emballage export et documentation disponibles sur demande
Données techniques

Spécifications techniques

Les spécifications sont organisées par système afin de présenter les paramètres pertinents pour chaque équipement.

Key specifications

Operating temperature 1500 °C working; 1600 °C for <1 h
Wafer capacity Up to 6 in
Quartz chamber 216 mm OD x 500 mm H
Induction supply 15 kW; 30–100 kHz
Heated precursor vessel 100 mL; up to 150 °C

Les spécifications peuvent varier selon la configuration. Les données finales dépendent du devis confirmé.

Description du produit

Confirm precursor or sample compatibility, tube and flange configuration, gases, pumping, cooling, exhaust and electrical supply with LabSova before ordering. Images may show optional accessories; the agreed configuration defines supply. Temperature ratings do not imply that every vacuum or pressure condition is permitted at that temperature.

Les détails d’achat peuvent être confirmés avant commande.

Pour les acheteurs internationaux, la confirmation du devis peut inclure configuration, accessoires, emballage, documents export, photos ou vidéos d’inspection et conditions d’expédition.

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