原子层沉积（ALD）
OTF-1200X-ALD 等离子辅助管式原子层沉积炉
型号OTF-1200X-ALD
双温区管式原子层沉积平台，结合可编程加热与 13.56 MHz 射频源。ALD 脉冲阀及供气组件根据工艺选配。
连续工作温度
1100 °C
加热区
2 × 200 mm；总长 400 mm
射频等离子源
5–300 W; 13.56 MHz
- 报价前确认最终配置
- 根据应用确认定制和附件
- 可按需提供出口包装与文件
技术数据
技术规格
规格按系统分组，便于不同设备展示与其应用相关的重要参数。
主要参数
| 连续工作温度 | 1100 °C |
|---|---|
| 加热区 | 2 × 200 mm；总长 400 mm |
| 射频等离子源 | 5–300 W; 13.56 MHz |
| 石英处理管 | 外径 50 × 内径 44 × 长 2200 mm |
| 选配 ALD 阀 | 2 个阀；最短脉冲 10 ms |
规格可能随配置和定制要求变化，最终数据以确认后的报价为准。
产品详情
订购前请与 LabSova 确认前驱体或样品兼容性、炉管及法兰配置、气体、抽气、冷却、排风和供电要求。图片可能包含选配附件，供货以双方确认配置为准。温度额定值不代表该温度下允许任意真空或压力条件。
采购细节可在下单前确认。
确认需求
面向国际买家，报价确认可包含配置、附件、包装方式、出口文件、验货照片或视频以及运输条款。
相关设备
