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Dépôt par couches atomiques (ALD)

OTF-1200X-ALD Plasma-Assisted Tube ALD Furnace

ModèleOTF-1200X-ALD

A dual-zone tube platform for plasma-assisted atomic layer deposition, combining controlled heating with a 13.56 MHz RF source. ALD valve and gas-delivery options are configured to the process.

Continuous temperature 1100 °C
Heating zones 2 x 200 mm; 400 mm total
RF plasma source 5–300 W; 13.56 MHz
  • Configuration finale confirmée avant devis
  • Personnalisation et accessoires étudiés selon l’application
  • Emballage export et documentation disponibles sur demande
Données techniques

Spécifications techniques

Les spécifications sont organisées par système afin de présenter les paramètres pertinents pour chaque équipement.

Key specifications

Continuous temperature 1100 °C
Heating zones 2 x 200 mm; 400 mm total
RF plasma source 5–300 W; 13.56 MHz
Quartz processing tube 50 mm OD x 44 mm ID x 2200 mm L
Optional ALD valves 2 valves; minimum pulse 10 ms

Les spécifications peuvent varier selon la configuration. Les données finales dépendent du devis confirmé.

Description du produit

Confirm precursor or sample compatibility, tube and flange configuration, gases, pumping, cooling, exhaust and electrical supply with LabSova before ordering. Images may show optional accessories; the agreed configuration defines supply. Temperature ratings do not imply that every vacuum or pressure condition is permitted at that temperature.

Les détails d’achat peuvent être confirmés avant commande.

Pour les acheteurs internationaux, la confirmation du devis peut inclure configuration, accessoires, emballage, documents export, photos ou vidéos d’inspection et conditions d’expédition.

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